供應(yīng)信息
壓敏電阻采購，就選源林電子，自有技術(shù)團隊更專業(yè)
壓敏電阻交流作用下的老化機理
交流作用下。在正半周時，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn
i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大?？偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。
源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團隊，廠家直銷！
壓敏電阻采購，就選源林電子，自有技術(shù)團隊
峰值能量Em
峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規(guī)定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產(chǎn)品能夠承受規(guī)定次數(shù)的
2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值，這是用戶選擇防護操作電壓用ZnO壓敏電阻器時的重要參考值。
源林電子的壓敏電阻廣受贊譽，可靠性高、性價比高，具有很強的市場競爭力，想了解更多壓敏電阻資料，歡迎來電咨詢！
壓敏電阻采購，就選源林電子，品類豐富
ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結(jié)構(gòu)，開放的結(jié)構(gòu)對缺陷的性質(zhì)及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學(xué)計量比n型半導(dǎo)體。
Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。
由于壓敏電阻型號太多，每個客戶的個性化需求不一。想了解更多壓敏電阻的信息，請撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！
您好，歡迎蒞臨源林電子，歡迎咨詢...
 觸屏版二維碼 |
